領先技術
革命性的I-fuse®技術
功率元件不該在熱失衡的狀態下操作
I-fuse® 確保您的產品始終處於最佳狀態
I-fuse®
non-Explosive fuse
其燒錄方式不需要斷開熔絲，而是利用較低電流透過 “電子遷移(Electron Migration)”提高熔絲電阻
efuse
Explosive fuse
易產生爆炸碎片，且在長期使用下其熔絲較容易橋接回去
I-fuse®的優勢
I-fuse®是市面上唯一一個燒錄機制經物理學驗證的OTP:
透過熱能轉換和電遷移進行燒錄
01
導入成本極低
無須額外光罩
卓越的OTP技術
PGM poly/metal- gate /metal fuse,
not MOS
超小尺寸
不須電荷泵；
面積為efuse的十分之一
02
低燒錄電壓
Core和I/O電壓(1.1/1.8V)即可燒錄
燒錄機制
物理學所驗證的電遷移(EM)燒錄機制
極短燒錄時間
熱輔助電遷移；
只須極短的燒錄時間
03
低讀取電壓
無須高壓裝置；
只要0.4V的sub-VDD即可進行讀取
低讀取電流
1uA的電流即可進行能源採集
04
極高的溫度耐受度
可支援-55°C~150°C以上的溫度區間；符合嚴苛車規標準
高穩定度
自然瑕疵率<1ppb; 通過 300°C 1,000小時 HTS測試
全面可測試性
非破壞性進行燒錄和讀取測試
高資料安全性
有效防止駭客破解密鑰；
抵禦外界偵測燒錄狀態
I-fuse® 具備全面可測試性
OTP (單次可燒錄記憶體) 本質上無法測試
- 一經使用即無法再次使用，因此難以於出貨前完成全面測試
- 空白 的OTP 讀取皆為 0；無法檢測到任何固定型故障
I-fuse® 可被全面測試
- 可燒錄測試所有單元(cell)：只要初始熔絲電阻 <400Ω ，即可透過產生熱能進行燒錄測試
- 100%可燒錄測試：只要燒錄條件跟規格吻合，確保100%可燒錄測試
- 全面可測試性：每個功能區塊皆可測試，包括燒錄電路
I-fuse® 的特殊電路設計 (CLVWR)
- 可透過soft program的方式進行測試，不需實際燒錄
- 可確認每個位元(bit)的功能是否正常
- pre-bump晶圓測試階段前即可完成測試
- 不需48小時/250°C的預烤、UV紫外光擦除和重新測試的步驟
僅需低電壓即可同時讀寫
- 透過「非破壞性燒錄」狀態，將讀取數值轉換為1
- 在讀取狀態下，使用低電壓進行燒錄，可將尚未完成燒錄的熔絲讀取數值轉換為1
- 在模擬SRAM測試模式中生成0/1數值，以進行OTP的全面測試
革命性的I-fuse® vs 傳統OTP
I-fuse®
eFuse
Oxide rupture
Floating-gate
革命性的I-fuse®: non-Explosive fuse
- 面積極小、無須電荷泵且具高可靠性
- 燒錄機制和所有邏輯裝置相同，都經過物理學驗證
- 可在核心/IO電壓下進行燒錄，且如同邏輯裝置可被全面測試
傳統OTP
- 沿襲固有的NVM問題
- 燒錄和使用方式和NVM相同
- 面積較大，需電荷泵及高電壓進行燒錄
- 較難使用且可靠性較低
- 須燒斷熔絲或破壞氧化層才能燒錄
- 須透過在浮柵中捕獲電荷的方式才能燒錄